Low Voltage MOSFETs The **SPP70N10L** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 70 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 280 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 12 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2–4 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60 nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The **SPP70N10L** is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-state resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **High current capability** (70 A continuous).  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **TO-220 package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on Infineon's datasheet for the **SPP70N10L** MOSFET.