Low Voltage MOSFETs The SPP47N10L is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 47 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 188 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 200 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.019 Ω (typical at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2 - 4 V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching performance** for improved efficiency in power conversion.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability in harsh conditions.  
- **Optimized for automotive and industrial applications**, including motor control, DC-DC converters, and power supplies.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This information is based on Infineon’s technical documentation for the SPP47N10L MOSFET. For detailed datasheets, refer to Infineon’s official resources.