Low Voltage MOSFETs The **SPP42N03S2L-13** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 42A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 168A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 13mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 200pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Optimized for **low on-state resistance (R_DS(on))** and **fast switching performance**.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** circuits.  

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for reliability in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS-compliant** packaging.  
- **Logic-level compatible gate drive** (can be driven by 5V signals).  

This information is based on Infineon's datasheet for the **SPP42N03S2L-13**. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.