N-Channel SIPMOS Power Transistor The **SPP30N03** is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1-2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 25nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The **SPP30N03** is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in DC-DC converters, motor control, and other high-current applications.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High current handling capability  
- Avalanche energy rated for ruggedness  
- Low gate charge for better drive efficiency  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.