for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPP24N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 24 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 72 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (max at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (min) to 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 2700 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 480 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The **SPP24N60C3** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance, making it suitable for use in power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability (650 V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed** for improved efficiency  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for reduced drive requirements  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in harsh conditions  
- **TO-220 Package** for easy mounting and thermal management  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **SPP24N60C3** MOSFET.