for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPP21N50C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 21 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 84 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 230 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 50 nC (typical)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (min), 5 V (max)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPP21N50C3** is a **N-channel enhancement mode power MOSFET** designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Ruggedness:** Enhanced reliability under high-energy conditions.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Reduces switching losses.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is based on Infineon's official datasheet for the **SPP21N50C3** MOSFET.