for lowest Conduction Losses The **SPP20N60S5** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600 V  
- **Current Rating (I_D):** 20 A (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (min) to 5 V (max)  
- **Power Dissipation (P_D):** 190 W  
- **Gate Charge (Q_g):** 58 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40 pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
- The **SPP20N60S5** is a **N-channel** power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is optimized for **efficiency and reliability** in power conversion circuits.  
- Suitable for **switched-mode power supplies (SMPS), motor control, and lighting applications**.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for improved switching performance.  
- **Fast switching speed** to reduce switching losses.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced durability in harsh conditions.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **100% avalanche tested** for reliability.  

This MOSFET is part of Infineon’s **Super Junction (CoolMOS™) technology**, ensuring high efficiency and thermal performance.