for lowest Conduction Losses The **SPP20N60S5** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 280W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.19Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.0V (min), 5.0V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPP20N60S5** is a **Super Junction MOSFET** designed for high-efficiency power switching applications. It features low on-state resistance (R_DS(on)) and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Super Junction Technology** for reduced conduction losses  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for improved switching efficiency  
- **Fast Switching Speed** for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

### **Package:**  
- **TO-220** (Through-Hole)  

This MOSFET is optimized for **high-voltage, high-efficiency** applications where low power dissipation and fast switching are critical.  

(Source: Infineon Datasheet)