for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPP20N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 20 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 80 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 230 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.19 Ω (typical at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-220** (Through-hole package)  

### **Features:**  
- **Fast switching** for high-efficiency applications  
- **Low gate charge** for reduced driving losses  
- **Low on-state resistance (R_DS(on))** for minimal conduction losses  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability  
- **Optimized for high-voltage applications** such as power supplies, motor drives, and inverters  

This MOSFET is designed for high-performance switching applications in industrial and consumer electronics.