P-Channel SIPMOS Power Transistor The SPP18P06P is a P-channel Power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -72A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The SPP18P06P is a P-channel MOSFET designed for high-efficiency power switching applications.  
- It is housed in a TO-220 package, providing good thermal performance.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer electronics applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet.

P-Channel SIPMOS Power Transistor The SPP18P06P is a P-channel MOSFET manufactured by STMicroelectronics.  

### **Manufacturer Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -18A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -72A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.18Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The SPP18P06P is a P-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low gate charge  
- High current capability  
- Improved dv/dt capability  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

P-Channel SIPMOS Power Transistor Here are the factual details about part **SPP18P06P** from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** N/A (Not specified in Ic-phoenix technical data files)  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Voltage (Vds):** -60V  
- **Current (Id):** -18A  
- **Power Dissipation (Pd):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (Vgs):** ±20V  
- **On-Resistance (Rds(on)):** 0.18Ω (max)  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency switching applications.  
- Low gate charge for fast switching performance.  
- Suitable for power management in various circuits.  
- Robust construction for reliable operation.  

(Note: No additional manufacturer or application guidance is provided in Ic-phoenix technical data files.)