for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPP16N50C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 16 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 230 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.3 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 220 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPP16N50C3** is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of Infineon's **Super Junction (CoolMOS™) technology**, offering low conduction and switching losses.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500 V breakdown voltage.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Low Gate Charge:** Enhances efficiency in switching circuits.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance.  
- **Pb-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.