for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPP15N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 60 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.35 Ω (typical at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1600 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 280 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPP15N60C3** is a **N-channel power MOSFET** designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion systems, such as switch-mode power supplies (SMPS), motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (600 V)** for robust performance in power applications.  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** minimizes conduction losses.  
- **Fast switching speed** improves efficiency in high-frequency circuits.  
- **Avalanche ruggedness** ensures durability under harsh conditions.  
- **Low gate charge (Q_G)** enhances switching efficiency.  
- **TO-220 package** provides good thermal performance and mechanical strength.  

This information is based strictly on the manufacturer's datasheet and technical documentation.