for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPP12N50C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 280 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPP12N50C3** is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other power management systems.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500 V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Ensures reliability under extreme conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces drive requirements.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This MOSFET is suitable for applications such as **switched-mode power supplies (SMPS), inverters, motor drives, and lighting systems**.