for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... The SPP11N80C3 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPP11N80C3  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 250pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25pF (typical)  
- **Switching Speed:** Fast switching capability  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The SPP11N80C3 is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-state resistance and high switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Rated:** Robust against inductive load switching  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance  

This information is based solely on Infineon's datasheet for the SPP11N80C3.