for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPP11N65C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual data from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 220 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 40 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The **SPP11N65C3** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-state resistance, high switching speed, and robust performance in demanding environments.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (650 V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Performance**  
- **Avalanche Ruggedness** for reliability in harsh conditions  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for efficient driving  
- **Optimized for High-Frequency Applications**  
- **TO-220 Package** for easy mounting and heat dissipation  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.