for lowest Conduction Losses The **SPP11N60S5** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The **SPP11N60S5** is a **600V N-Channel MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It is part of Infineon’s **Super Junction (CoolMOS™) technology**, offering low on-state resistance and fast switching performance.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (600V)**  
- **Low gate charge (Q_G)** for reduced switching losses  
- **Low R_DS(on)** for improved efficiency  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche ruggedness**  
- **Improved thermal performance**  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is commonly used in **power supplies, motor control, lighting, and industrial applications**.  

(Data sourced from Infineon’s official documentation.)