for lowest Conduction Losses & fastest Switching The SPP11N60CFD is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1250 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SPP11N60CFD is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of Infineon’s CoolMOS™ C7 family, optimized for efficiency and reliability in power supplies, motor drives, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Superjunction Technology:** Provides low on-state resistance and high switching performance.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Enhances efficiency in switching applications.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  
- **TO-220 Package:** Industry-standard package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based on Infineon’s official datasheet for the SPP11N60CFD.