**Part Number:** SPP11N60C2  

### **Specifications:**  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ C2  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 11 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 44 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.38 Ω (typical at V_GS = 10 V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 28 nC (typical at V_DS = 400 V, I_D = 5.5 A)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 65 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 35 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55 ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25 ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions:**  
The SPP11N60C2 is a high-voltage N-channel MOSFET from Infineon’s CoolMOS™ C2 series, designed for efficient power switching applications. It offers low on-state resistance, fast switching performance, and high reliability, making it suitable for power supplies, inverters, and motor control applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low R_DS(on):** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **CoolMOS™ C2 Technology:** Ensures high efficiency and thermal performance.  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge:** Reduces driving losses.  
- **TO-220 Package:** Standard through-hole mounting for easy integration.  

This information is based on Infineon’s official datasheet for the SPP11N60C2.