N-Channel SIPMOS Power Transistor The SPP10N10 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 10 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 40 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.35 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2–4 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 40 ns (typical)  

### **Description:**
The SPP10N10 is an N-channel enhancement-mode MOSFET designed for high-speed switching and power management applications. It is suitable for use in DC-DC converters, motor control, and power supply circuits.

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to voltage spikes.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based solely on Infineon's datasheet for the SPP10N10 MOSFET.