Low Voltage MOSFETs The SPP100N03S2-03 is a power MOSFET manufactured by INF (Infineon Technologies). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies (INF)  
- **Part Number:** SPP100N03S2-03  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Technology:** TrenchMOS  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0V to 2.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Optimized for synchronous rectification in DC-DC converters.  
- Fast switching performance for improved efficiency.  
- Avalanche ruggedness for enhanced reliability.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

For detailed application notes or additional parameters, refer to the official Infineon datasheet.