for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... The SPP08N80C3 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are the factual details about the component:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 30A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min) – 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 16ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- **High Voltage Capability:** Designed for applications requiring up to 800V breakdown voltage.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching performance.  
- **Optimized for Switching Applications:** Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  
- **Avalanche Rated:** Robust against high-energy transients.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in high-current applications.  
- **Lead-Free and RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPP08N80C3.