for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPP07N65C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 650 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.7 Ω (typical at V_GS = 10 V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 65 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPP07N65C3** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for high efficiency and fast switching performance, making it suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 650 V breakdown voltage for robust performance in high-voltage circuits.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses for improved efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized gate charge for reduced switching losses.  
- **Avalanche Rated:** Enhanced ruggedness for reliable operation in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based strictly on Infineon's datasheet and technical documentation.