for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPP07N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (typical) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPP07N60C3** is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of Infineon’s **CoolMOS™ C3** series, optimized for efficiency and performance in power supplies, motor control, and lighting applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation  
- **Avalanche Rugged:** Enhanced reliability under harsh conditions  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses  
- **Pb-Free and RoHS Compliant**  

The device is available in a **TO-220** package.  

(Source: Infineon datasheet and product documentation.)

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