for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPP07N60C2** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 950pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 110pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 45ns  
- **Rise Time (t_r):** 35ns  
- **Fall Time (t_f):** 25ns  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Description:**  
The **SPP07N60C2** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-state resistance, fast switching speeds, and high efficiency, making it suitable for use in power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low On-Resistance (0.65Ω max)**  
- **Fast Switching Performance**  
- **High Current Handling (7A continuous, 28A pulsed)**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based on Infineon's datasheet for the **SPP07N60C2** MOSFET.

for lowest Conduction Losses & fastest Switching