for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPP04N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 2.5 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPP04N60C3** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It is optimized for efficiency in power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage suitable for industrial applications.  
- **Low Gate Charge:** Ensures fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Fast Switching Speed:** Improves efficiency in high-frequency applications.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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