for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPI20N65C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (VDS):** 650 V  
- **Current Rating (ID):** 20 A (at 25°C)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.19 Ω (max at VGS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30 V  
- **Power Dissipation (PD):** 170 W (at 25°C)  
- **Package:** TO-247  
- **Technology:** CoolMOS™ C3 (Superjunction MOSFET)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency power conversion** applications.  
- Optimized for **low conduction and switching losses**.  
- Suitable for **switched-mode power supplies (SMPS), PFC stages, and inverters**.  

### **Features:**  
- **Low gate charge (Qg)** for reduced switching losses.  
- **Fast intrinsic diode** for improved efficiency in hard-switching applications.  
- **High dv/dt capability** for robust performance.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  

This MOSFET is part of Infineon’s **CoolMOS™ C3 series**, which emphasizes efficiency and thermal performance.  

(Note: Always refer to the official **Infineon datasheet** for precise details.)

for lowest Conduction Losses & fastest Switching