CoolMOSTM Power Transistor Intrinsic fast-recovery body diode Here are the factual details about the **SPI15N60CFD** from **Infineon**:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPI15N60CFD  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** CoolMOS™ CFD (Fast Diode)  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 15 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 45 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.25 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 8 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The **SPI15N60CFD** is a **600V N-Channel MOSFET** from Infineon’s **CoolMOS™ CFD** series, optimized for **high-efficiency power conversion** applications.  
- It features a **fast body diode**, making it suitable for **hard-switching topologies** like **PFC (Power Factor Correction), SMPS (Switched-Mode Power Supplies), and inverters**.  
- The **low R_DS(on)** and **high switching speed** improve efficiency in power electronics.  

### **Features:**
- **Fast intrinsic diode** for reduced reverse recovery losses  
- **Low gate charge (Q_G)** for improved switching performance  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability  
- **Optimized for high-frequency switching**  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This information is based on Infineon’s official datasheet for the **SPI15N60CFD**.

CoolMOSTM Power Transistor Intrinsic fast-recovery body diode