for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPI12N50C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:
### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48 A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 190 W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±30 V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.38 Ω (max) at VGS = 10 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 3 V (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1500 pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 300 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 40 pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 12 ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50 ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
### **Descriptions:**  
- **Package:** TO-220  
- **Technology:** CoolMOS™ C3 (Superjunction MOSFET)  
- **Application:** Designed for high-efficiency power conversion in SMPS, lighting, and industrial applications.  
### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency operation.  
- **High Voltage Capability:** Suitable for 500V applications.  
- **CoolMOS™ C3 Technology:** Enhances thermal performance and efficiency.  
- **Avalanche Rugged:** Improved reliability under harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
This MOSFET is commonly used in power supplies, inverters, and motor control circuits.  
(Source: Infineon Technologies Datasheet)