for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPI11N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 600V  
- **Current Rating (I_D):** 11A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.38Ω (max) @ 10V, 5.6A  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- **Technology:** CoolMOS™ C3 (superjunction MOSFET)  
- **Package:** TO-220  
- **Application:** Designed for high-efficiency power conversion in SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Optimized for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **High Avalanche Ruggedness:** Ensures reliability under harsh conditions.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Minimizes switching losses.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

This MOSFET is part of Infineon’s **CoolMOS™ C3 series**, which balances performance and cost for power supply designs.

for lowest Conduction Losses & fastest Switching