for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... The **SPI08N80C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPI08N80C3  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3.5 V (min)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60 ns (typ)  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The **SPI08N80C3** is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It offers low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for high-efficiency power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 800 V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Ensures reliability under harsh conditions.  
- **Improved dv/dt Robustness:** Enhanced resistance to voltage transients.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based on Infineon's datasheet and technical documentation for the **SPI08N80C3**.

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