for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPI08N50C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 30pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The **SPI08N50C3** is designed for high-voltage, high-speed switching applications.  
- It is part of Infineon’s **CoolMOS™ C3** family, optimized for efficiency and reliability.  
- Suitable for **SMPS (Switched-Mode Power Supplies), lighting, motor control, and industrial applications**.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Performance** for high-frequency applications.  
- **Optimized Gate Charge** for improved efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant** for environmental safety.  

This information is based on Infineon’s official datasheet for the **SPI08N50C3**.

for lowest Conduction Losses & fastest Switching