SPI07N60C3

for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPI07N60C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Voltage Rating (V_DSS):** 650 V  
- **Current Rating (I_D):** 7 A (continuous)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Gate Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 90 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15 pF (typical)  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **SPI07N60C3** is a **Super Junction MOSFET** designed for high-efficiency switching applications. It is optimized for **low conduction and switching losses**, making it suitable for power supplies, lighting, and motor control applications.  

### **Key Features:**  
- **Super Junction (CoolMOS™) Technology** for high efficiency  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for fast switching  
- **Avalanche ruggedness** for reliable operation  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Lead-free, RoHS-compliant** packaging  

The device is available in a **TO-252 (DPAK)** package.  

(Source: Infineon datasheet)

for lowest Conduction Losses & fastest Switching