Low Voltage MOSFETs The **SPD50N06S2L-13** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 13mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**
The **SPD50N06S2L-13** is an N-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-state resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in automotive, industrial, and consumer electronics.

### **Features:**
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses.  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Avalanche ruggedness** for enhanced reliability.  
- **Logic-level compatible gate drive** (optimized for 10V drive).  
- **Lead-free and RoHS compliant** packaging.  
- **TO-252 (DPAK) package** for efficient thermal performance.  

This MOSFET is commonly used in **DC-DC converters, motor control, and power supply applications**.  

(Source: Infineon Technologies Datasheet)

Low Voltage MOSFETs