Low Voltage MOSFETs The **SPD50N06S2-14** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 140W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 14mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 60nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching Performance** suitable for high-efficiency applications.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load switching.  
- **Optimized for Automotive & Industrial Applications.**  
- **Lead-Free & RoHS Compliant.**  

This MOSFET is commonly used in power management, motor control, and DC-DC converter applications.  

*(Source: Infineon Technologies Datasheet for SPD50N06S2-14.)*

Low Voltage MOSFETs