Low Voltage MOSFETs The **SPD50N03S2L-06** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 6 mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions & Features:**
- Designed for **high-efficiency power switching** applications.  
- Optimized for **low on-state resistance (R_DS(on))** to minimize conduction losses.  
- **Fast switching performance** suitable for DC-DC converters, motor control, and power management.  
- **Avalanche ruggedness** for improved reliability in harsh conditions.  
- **Lead-free and RoHS compliant** for environmental safety.  

This MOSFET is commonly used in **automotive, industrial, and consumer electronics** applications requiring high current handling and low power loss.  

(All details are sourced from Infineon's official datasheet for the SPD50N03S2L-06.)

Low Voltage MOSFETs