Low Voltage MOSFETs The SPD30N08S2L-21 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 80V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 21mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 45nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 400pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**
- **Low On-Resistance:** Optimized for high efficiency in power switching applications.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Provides robustness in rugged environments.  
- **Logic Level Drive:** Can be driven by standard logic-level signals (V_GS = 10V).  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Applications:** Used in DC-DC converters, motor control, power supplies, and other high-current switching circuits.  

This information is based on Infineon’s datasheet and technical documentation. For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.

Low Voltage MOSFETs