Low Voltage MOSFETs The **SPD30N06S2-23** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 83W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 23mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 35ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- Designed for **high-efficiency switching** applications.  
- Optimized for **low on-resistance** and **fast switching speeds**.  
- Suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** circuits.  
- **Avalanche ruggedness** ensures reliability in harsh conditions.  

### **Features:**  
- **Low gate charge** for reduced switching losses.  
- **High current capability** for power applications.  
- **Enhanced thermal performance** due to DPAK package.  
- **Logic-level compatible** (fully enhanced at 10V).  
- **Lead-free and RoHS compliant**.  

This information is strictly based on Infineon's datasheet for the **SPD30N06S2-23** MOSFET.

Low Voltage MOSFETs