Low Voltage MOSFETs The **SPD30N03S2L-10** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 45 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 10 mΩ (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.0 V to 2.5 V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 15 nC (typ)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 800 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 150 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The **SPD30N03S2L-10** is a **30V N-Channel MOSFET** optimized for **high-efficiency power switching applications**. It features **low on-state resistance (R_DS(on))** and **fast switching performance**, making it suitable for **DC-DC converters, motor control, and power management** in automotive, industrial, and consumer electronics.  

### **Key Features:**  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **High current capability** (30 A continuous, 120 A pulsed)  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **Avalanche ruggedness** for reliability in harsh conditions  
- **Optimized for logic-level drive** (V_GS = 10 V)  
- **Lead-free and RoHS compliant**  

This MOSFET is commonly used in **battery protection circuits, power supplies, and load switching applications**.  

(All data is based on Infineon's official documentation.)

Low Voltage MOSFETs