SPD28N03L

N-Channel SIPMOS Power Transistor The SPD28N03L is a power MOSFET manufactured by SIEMENS. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 28A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 110A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.028Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1-2V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 30nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1400pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 600pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 100pF  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SPD28N03L is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for automotive, industrial, and power management systems.  

### **Features:**  
- Low R_DS(on) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed  
- High current capability  
- Enhanced thermal performance  
- Robust and reliable for demanding applications  
- Suitable for DC-DC converters, motor control, and power supplies  

This information is based solely on the technical specifications provided by SIEMENS for the SPD28N03L MOSFET.

N-Channel SIPMOS Power Transistor