SPD14N06S2-80

Low Voltage MOSFETs The **SPD14N06S2-80** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on available data:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** SPD14N06S2-80  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 14A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 56A  
- **Power Dissipation (P_D):** 80W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 80mΩ (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 15nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

### **Descriptions & Features:**
- **Technology:** Utilizes Infineon’s advanced power MOSFET technology for high efficiency.  
- **Low On-Resistance:** Optimized for reduced conduction losses.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust design for reliable performance in harsh conditions.  
- **Package:** TO-252 (DPAK) surface-mount package for compact PCB integration.  
- **Applications:** Used in power management, DC-DC converters, motor control, and automotive systems.  

This MOSFET is designed for high-performance switching applications with a balance of low conduction losses and fast switching speeds.  

(Note: Always refer to the latest datasheet from Infineon for precise details.)

Low Voltage MOSFETs