SIPMOS Power Transistor The SPD13N05L is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 50 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 13 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 52 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 50 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2 V (typical)  
- **Drain-Source On-Resistance (R_DS(on)):** 0.13 Ω (max at V_GS = 10 V)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 22 nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Package:**
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Descriptions:**
- N-channel enhancement mode MOSFET  
- Designed for high-efficiency switching applications  
- Low gate charge for fast switching performance  
- Optimized for low conduction losses  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes power loss in conduction  
- **Fast Switching Speed:** Suitable for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5 V drive signals  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPD13N05L power MOSFET.

SIPMOS Power Transistor