Low Voltage MOSFETs The SPD100N03S2L-04 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-to-Source Voltage (V_DS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 100 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 400 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 200 W  
- **R_DS(on) (Max) at V_GS = 10 V:** 4 mΩ  
- **Gate-to-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1.5 V (typical)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 95 nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3500 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1100 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 300 pF (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions:**  
- The SPD100N03S2L-04 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It features low on-state resistance (R_DS(on)) for high efficiency in switching applications.  
- Suitable for automotive, industrial, and consumer electronics applications.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal conduction losses.  
- **High Current Capability:** Supports up to 100 A continuous drain current.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency switching applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust against inductive load switching.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and specifications.

Low Voltage MOSFETs