for lowest Conduction Losses & fastest Switching The **SPD08N50C3** is a power MOSFET manufactured by **Infineon Technologies**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 500 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1100 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 200 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 12 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**
- The **SPD08N50C3** is a high-voltage N-channel MOSFET designed for switching applications.  
- It features low on-state resistance and fast switching characteristics, making it suitable for power supplies, motor control, and lighting applications.  
- The device is housed in a **TO-252 (DPAK)** package for efficient thermal performance.  

### **Features:**
- **High Voltage Capability (500 V)**  
- **Low Gate Charge (Q_g)** for improved switching efficiency  
- **Low R_DS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness  
- **Lead-Free & RoHS Compliant**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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