N-Channel SIPMOS Power Transistor The SPD08N10 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 80pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**
- The SPD08N10 is a power MOSFET designed for high-efficiency switching applications.  
- It is optimized for low on-resistance and fast switching performance.  
- Suitable for power management, DC-DC converters, and motor control applications.  

### **Features:**
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching:** Enhances efficiency in high-frequency applications.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures robustness in inductive load conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces susceptibility to false triggering.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on Infineon's datasheet for the SPD08N10.

N-Channel SIPMOS Power Transistor