for lowest Conduction Losses & fastest Switching The SPD07N60C3 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125 W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (max) at V_GS = 10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1500 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 220 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 35 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SPD07N60C3 is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of Infineon’s CoolMOS™ C3 series, optimized for efficiency and reliability in power conversion systems.  

### **Features:**  
- **Fast Switching Performance:** Low gate charge and reduced switching losses.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Ensures robustness in harsh conditions.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced reliability in high-frequency applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  

The device is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching applications.

for lowest Conduction Losses & fastest Switching