for lowest Conduction Losses & fastest Switching The SPD07N60C2 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 600 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 7 A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 28 A  
- **Power Dissipation (P_tot):** 125 W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30 V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.65 Ω (max at V_GS = 10 V, I_D = 3.5 A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (min), 4 V (typ), 5 V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750 pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 120 pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 25 pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10 ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50 ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SPD07N60C2 is a N-channel power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is part of Infineon’s CoolMOS™ C2 series, optimized for efficiency in power supplies, inverters, and motor control systems.

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600 V breakdown voltage for robust performance.  
- **Low On-Resistance (R_DS(on)):** Enhances efficiency by reducing conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Low Gate Charge (Q_g):** Improves switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability under inductive load conditions.  
- **TO-252 (DPAK) Package:** Compact and suitable for surface-mount applications.  
- **Pb-Free and RoHS Compliant:** Environmentally friendly manufacturing.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

for lowest Conduction Losses & fastest Switching