for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ... The SPD06N80C3 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon  
- **Part Number:** SPD06N80C3  
- **Technology:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 6A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 24A  
- **Power Dissipation (P_D):** 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-State Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 500pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions:**  
- The SPD06N80C3 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is optimized for high efficiency and fast switching performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and industrial applications.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal conduction losses.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-frequency applications.  
- **High Voltage Capability:** Supports up to 800V.  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on Infineon's datasheet for the SPD06N80C3.

for lowest Conduction Losses & fastest SwitchingPlease note: Infineon has changed the CoolMOS 800V C2 marking to C3. 800V C2 ...