SPD04P10PL G

SIPMOS? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode The SPD04P10PL is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPD04P10PL  
- **Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100 V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -16 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30 W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4 Ω (max) at V_GS = -10 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2 V to -4 V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300 pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50 pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20 pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The SPD04P10PL is a P-channel power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. It features low on-resistance and fast switching performance, making it suitable for power management in various electronic circuits.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching speed for improved efficiency  
- High voltage capability (-100 V)  
- Avalanche ruggedness for reliable operation  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon’s datasheet for the SPD04P10PL MOSFET. For detailed performance curves and application notes, refer to the official datasheet.

SIPMOS? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode