SIPMOS? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode The SPD04P10PG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPD04P10PG  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 50W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Description:**  
The SPD04P10PG is a P-Channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and high switching performance, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and power switching circuits.

### **Features:**  
- Low gate charge for fast switching  
- Low on-resistance (R_DS(on))  
- High current handling capability  
- Avalanche ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Infineon's datasheet for the SPD04P10PG. For detailed electrical characteristics and application notes, refer to the official datasheet.

SIPMOS? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode