SIPMOS? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode The SPD04P10P is a power MOSFET manufactured by Infineon. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** SPD04P10P  
- **Type:** P-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 35W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.85Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 130pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 8pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The SPD04P10P is a P-Channel MOSFET designed for power management applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses  
- Fast switching performance  
- High breakdown voltage (-100V)  
- Robust and reliable for industrial applications  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

SIPMOS? Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode